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长鑫存储发布GAA技术相关论文，适用于3nm芯片
12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。 注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但...
12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。 注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但...
