12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。
注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm 的能力。
根据《南华早报》报道，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主芯片开发能力。
华邦电子的储存芯片专家 Frederick Chen 表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司不断追赶，缩小在技术方面的差距。
长鑫存储发表声明称，该论文描述了与 DRAM 结构和 4F2 设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。
据长鑫存储官网显示，长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片，是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌，实现了国内市场零的突破，同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。
长鑫存储 LPDDR5 系列产品包括 12GB 的 LPDDR5 颗粒，POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5 是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储 DRAM 芯片的产品布局。
